Beschreibung
đ§ Allgemeine Produktbeschreibung
Der MT16KTF51264HZ-1G6E1 ist ein 4-GB DDR3L-SO-DIMM-Speichermodul von Micron Technology, konzipiert fĂŒr Notebooks und kompakte Systeme. Es handelt sich um ein low-voltage (DDR3L)-Modul, das mit 1,35 V betrieben wird, wodurch es energieeffizienter als Standard-DDR3-Speicher (1,5 V) ist.
âïž Technische Daten
| Merkmal | Beschreibung |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology |
| Modellnummer | MT16KTF51264HZ-1G6E1 (oder Varianten, z. B. MT16KTF51264HZ-1G9E1) |
| KapazitÀt | 4 GB (Gigabyte) |
| Modultyp | DDR3L SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM (Low Voltage DDR3) |
| Organisation | 2 Rank x 8 Bank (2Rx8) |
| Taktfrequenz | 1600 MHz (PC3L-12800) |
| Bandbreite | Bis zu 12,8 GB/s |
| CAS-Latenz (CL) | CL11 (typisch bei DDR3-1600) |
| Spannung | 1,35 V (kompatibel auch mit 1,5 V) |
| Formfaktor | 204-Pin SO-DIMM |
| ECC-UnterstĂŒtzung | Nein (Non-ECC) |
| Pufferung | Unbuffered |
| KompatibilitÀt | Laptops, Mini-PCs, All-in-One-PCs mit DDR3L-SO-DIMM-Slot |
| Abmessungen | ca. 67,6 mm x 30 mm |
| Baujahr / Technologie | 30 nm-Klasse DDR3L-Technologie |
đĄ Besondere Merkmale
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Energieeffizient: Durch die niedrigere Spannung (1,35 V) reduziert sich der Energieverbrauch um etwa 15 % gegenĂŒber Standard-DDR3.
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AbwĂ€rtskompatibel: Funktioniert auch mit Systemen, die nur 1,5 V DDR3 unterstĂŒtzen.
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ZuverlĂ€ssig: Micron gehört zu den fĂŒhrenden Herstellern von Industriespeicher mit hoher LangzeitstabilitĂ€t.
đ Typische Anwendungen
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Notebooks und Laptops
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Mini-PCs (z. B. Intel NUCs)
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Embedded-Systeme
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Office-Rechner mit DDR3L-UnterstĂŒtzung
𧩠Beispielhafte Modellbezeichnung auf Etikett
MT16KTF51264HZ-1G6E1 4 GB 2Rx8 PC3L-12800S-11-11-B2
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MT = Micron Technology
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16KTF51264HZ = Produktcode
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1G6E1 = Geschwindigkeit DDR3-1600 (1600 MT/s)
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4GB = GesamtkapazitÀt
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2Rx8 = Zwei Ranks, 8-Bit-Organisation pro Chip
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PC3L-12800S = DDR3L, 1600 MHz, Laptop-Format
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CL11 = CAS-Latenz